مشخصات
- وزن10 گرم
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفیUp to 1,400,000 IOPS
- کنترل کنندهSamsung V-NAND 3-bit MLC
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفیUp to 1,550,000 IOPS
- نوع رابط حافظهPCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
- ظرفیتدو ترابایت
- حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک1500g , 0.5ms
- میانگین عمر1.5 میلیون ساعت
- نوع فلشMLC
- قابلیتهای حافظهپشتیبانی از TRIM
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبیUp to 6,900 MB/s
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبیUp to 7,450 MB/s
- مصرف برقAverage 5.5 W Maximum 8.5 W (Burst mode)
- رابطهاPCI-Express 4.0 x4
- قابلیت پشتیبانی از سیستم عاملهایClient PCs, Game Consoles
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.