مشخصات
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفیحداکثر تا 220.000 IOPS
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفیحداکثر تا 120.000 IOPS
- نوع رابط حافظهM.2 NVMe
- ظرفیت512 گیگابایت
- حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک1500G
- نوع فلش3D NAND
- قابلیت‌های حافظهپشتیبانی از TRIM
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبیحداکثر تا 1000 مگابایت بر ثانیه
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبیحداکثر تا 1700 مگابایت بر ثانیه
- قابلیت‌های مقاومتیمقاوم در برابر شوک
- رابط‌هاPCI Express 3.0
نقد و بررسی‌ها
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.